Darlington-Transistor, Typ=BD679, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=750, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=80 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=80 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=2.5 V, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=4 A, Leistungsverteilung (PV)=40 W, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=-999, Übergangsfrequenz=-999, Bauform=SOT-32, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Röhre