MJD44H11G Transistor MJD44H11G NPN 80 V 8 A 85 MHz

Technische Daten:
Transistor-Typ: NPN
DC Kollektorstrom max.: 8A
Kollektor-Emitter-:&nbsp 80V
Gehäusegröße&nbsp DPAK (TO-252)
Montage-Typ: SMD
Verlustleistung max.: 1,75 W
Transistor-Konfiguration: Einfach
Basis-Emitter Spannung max.: 5 V
Arbeitsfrequenz max.: 85 MHz
Pinanzahl: 3
Anzahl der Elemente pro Chip: 1
Abmessungen: 2.38 x 6.73 x 6.22mm